TPS51200DRCR: chip de gestión de energía terminal DDR de alto rendimiento

En los modernos sistemas de memoria de alta velocidad, la memoria DDR (doble tasa de datos) es ampliamente utilizada en servidores, portátiles y escritorios, así como en dispositivos embebidos. Para garantizar la integridad de los datos de la memoria DDR, la estabilidad del voltaje del terminal de memoria (VTT) es crucial. El TPS51200DRCR de Texas Instruments es precisamente un chip LDO (low tension diferencial linear regulator) de alto rendimiento diseñado para terminales de memoria DDR.

Características 

• voltaje de entrada: soporta raíles de alimentación de 2.5v y 3.3v 

• rango de voltaje VLDOIN: 1.1v a 3.5v 

• regulador de terminal de corriente de riego y corriente de tracción con compensación de caída de presión 

• requiere una capacidad de salida ultra pequeña de 20μF (generalmente 3 × 10μFMLCC), Listo para uso EN aplicaciones de terminal de memoria (DDR)

• PGOOD para la regulación de salida de monitoreo 

• entrada EN 

• entrada REFIN permite un seguimiento flexible de la entrada directamente o a través de divisor de resistencia 

• detección remota (VOSNS)

• referencia de buffer de ±10mA (REFOUT)

• arranque suave integrado, Bloqueo de bajo voltaje (UVLO) y límite de sobrecorriente (OCL)

• apagado térmico 

• soporte para DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, aplicaciones VTT de baja potencia DDR3 y DDR4 

• paquete sin plomo (VSON) de 10 pines con disco de disipación de calor

Encapsulado y tamaño
El TPS51200DRCR utiliza un pequeño paquete de 10 pines VSON (3mm x 3mm) con una bandeja de disipación de calor incorporada, ideal para diseños de PCB con espacio limitado. Al mismo tiempo, proporciona un buen rendimiento de disipación de calor para mejorar la confiabilidad del sistema.
aplicación

1.Regulador de terminación de memoria para DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR3 y DDR4
Función principal: Proporciona voltaje de terminación (VTT) y voltaje de referencia (VTTREF) estables para los buses de memoria.
Ventajas técnicas:
Seguimiento preciso del voltaje de referencia de entrada, desviación dentro de ±25mV para garantizar la integridad de la señal;
Capacidad de corriente de fuente/sumidero de ±3A para satisfacer las demandas dinámicas de las operaciones de memoria de alta velocidad;
Compatible con múltiples generaciones de DDR para un diseño de plataforma unificada.
Aplicaciones:
Módulos de memoria de alto rendimiento
Diseños de placas base y controladores de memoria
Sistemas de interfaz de memoria de alta velocidad
2.Portátiles, ordenadores de escritorio y servidores
Función principal: Proporciona energía de terminación fiable para los módulos de memoria en plataformas de computación.
Ventajas técnicas:
Encapsulado compacto de 3mm × 3mm VSON, ideal para dispositivos portátiles con limitación de espacio;
Requiere baja capacitancia de salida, reduciendo costos y complejidad de PCB;
Funciones de protección integradas mejoran la estabilidad del sistema.
Aplicaciones:
Portátiles comerciales y de consumo
Placas base y módulos de memoria de escritorio
Servidores de centros de datos y plataformas HPC
3.Telecomunicaciones y comunicaciones de datos
Función principal: Suministra voltaje de terminación estable para procesadores de comunicaciones y sistemas de memoria de alta velocidad.
Ventajas técnicas:
Garantiza estabilidad de memoria bajo alto ancho de banda y accesos concurrentes;
Rápida respuesta de carga dinámica para escenarios de tráfico de datos fluctuante;
Señal PGOOD integrada para monitoreo en tiempo real del estado de alimentación.
Aplicaciones:
Enrutadores y switches de núcleo
Equipos de transmisión óptica y acceso
Sistemas de almacenamiento de red de alta capacidad
4.Estaciones base
Función principal: Alimenta las terminaciones de memoria en procesadores de banda base y módulos RF de sistemas inalámbricos.
Ventajas técnicas:
Operación estable en rango de temperatura industrial (–40°C a +85°C);
Excelente rendimiento térmico para entornos de alta densidad y carga en estaciones base;
Voltaje de referencia preciso que optimiza la sincronización de datos en transmisiones de alta velocidad.
Aplicaciones:
Estaciones base móviles 4G/5G
Micro estaciones base y unidades de radio remotas (RRU)
Módulos de control en equipos centrales de telecomunicaciones
5.Televisores LCD y PDP
Función principal: Proporciona energía precisa para módulos de memoria en controladores de pantalla.
Ventajas técnicas:
Excelente supresión de ruido eléctrico, mejorando la calidad de imagen;
Encapsulado compacto que ahorra espacio en placas principales de TV;
Diseño de bajo consumo para sistemas de TV eficientes energéticamente.
Aplicaciones:
Televisores LCD inteligentes
Televisores de plasma PDP
Unidades de visualización de cine en casa
6.Fotocopiadoras e impresoras
Función principal: Alimenta la memoria de caché y de procesamiento de imagen en unidades de control embebidas.
Ventajas técnicas:
Voltaje de terminación estable que asegura la integridad de datos durante el procesamiento de imágenes;
Soporta ciclos de carga altos para entornos industriales de oficina;
Protección térmica y contra bajo voltaje mejora la vida útil y estabilidad del sistema.
Aplicaciones:
Fotocopiadoras de oficina
Impresoras de alta velocidad
Dispositivos de salida de imagen industriales
7.Decodificadores (Set-Top Boxes)
Función principal: Alimenta la memoria embebida y módulos de procesamiento de video.
Ventajas técnicas:
Encapsulado compacto ideal para electrónica de consumo miniaturizada;
Respuesta dinámica rápida que soporta procesamiento de video de alta resolución;
Diseño externo simplificado que acorta los ciclos de desarrollo.
Aplicaciones:
Decodificadores IPTV
Cajas de televisión digital
Reproductores multimedia de red

Ventajas por diseño
En aplicaciones de alimentación de terminales DDR, TPS51200DRCR ofrece las siguientes ventajas significativas:
La salida precisa de VTT reduce efectivamente la reflexión y el ruido de la señal de memoria.
El diseño integrado reduce el número de componentes periféricos, mejora la fiabilidad del diseño y reduce el costo de la BOM.
El paquete compacto es adecuado para diseños modernos de placas de circuito de alta densidad que soportan procesos de producción SMT automatizados.
Las funciones ricas de la protección y de supervisión mejoran la estabilidad del sistema y la capacidad de la protección contra fallas.
resumen
En el diseño de alimentación de memoria DDR, TPS51200DRCR se ha convertido en la opción de elección para muchos ingenieros de diseño de sistemas debido a su alta precisión, alta capacidad de corriente, paquete pequeño y rica integración de funciones. Si está desarrollando una plataforma de computación de alto rendimiento de próxima generación, el TPS51200DRCR sin duda puede proporcionar un soporte sólido y confiable para su sistema de alimentación de memoria.