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0Infineon Technologies Canada Inc. GS-065-030-6-LR-TR
- Número de pieza.:
- GS-065-030-6-LR-TR
- Fabricante:
- Infineon Technologies Canada Inc.
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- 8-VDFN Exposed Pad
- Descripción:
- GS-065-030-6-LR-TR
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Infineon Technologies Canada Inc.
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- 8-VDFN Exposed Pad
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 700 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 40A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 6V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 54mOhm @ 5.5A, 6V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.6V @ 7.5mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 6.7 nC @ 6 V
- Vgs (máx.):
- +7V, -10V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 235 pF @ 400 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- -
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- 8-PDFN (8x8)
Inventario:2,048
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Nexperia USA Inc.
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