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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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CP375-CWDM3011N-CTMOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE Central Semiconductor Corp |
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Tabla de datos |
- | Die | Tray | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta) | 4.5V, 10V | 20mOhm @ 11A, 10V | 3V @ 250µA | 6.3 nC @ 5 V | ±20V | 860 pF @ 15 V | - | 2.5W | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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CP406-CWDM3011N-CTMOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE Central Semiconductor Corp |
0 | - |
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Tabla de datos |
- | Die | Tray | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9.93A (Ta) | 4.5V, 10V | 13mOhm @ 1A, 10V | 3V @ 250µA | - | ±20V | - | - | 1.15W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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CP372-WNMOSFET N-CH 60V DIE Central Semiconductor Corp |
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Tabla de datos |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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CP372-CTMOSFET N-CH 60V DIE Central Semiconductor Corp |
0 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Tray | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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CTLM7110-M832D BKTRANSISTOR Central Semiconductor Corp |
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Tabla de datos |
- | 8-TDFN Exposed Pad | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 250mOhm @ 100mA, 1.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4 nC @ 4.5 V | 8V | 220 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.65W (Ta) | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TLM832D |
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CTLM7110-M832D TRTRANSISTOR Central Semiconductor Corp |
0 | - |
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Tabla de datos |
- | 8-TDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 250mOhm @ 100mA, 1.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4 nC @ 4.5 V | 8V | 220 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.65W (Ta) | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TLM832D |
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