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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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STF80N600K6N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP., STMicroelectronics |
26 | - |
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Tabla de datos |
ECOPACK® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 7A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 3A, 10V | 4V @ 100µA | 10.7 nC @ 10 V | ±30V | 540 pF @ 400 V | - | 23W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
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SCT055TO65G3SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 STMicroelectronics |
88 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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STW65N045M9-4N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5 STMicroelectronics |
90 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 54A (Tc) | 10V | 45mOhm @ 28A, 10V | 4.2V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±30V | 4610 pF @ 400 V | - | 312W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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SCT040TO65G3SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 STMicroelectronics |
100 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SCT040W65G3-4AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics |
75 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SCT027H65G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics |
100 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SCT040W120G3AGHIP-247 IN LINE HEAT SINK 2MM STMicroelectronics |
100 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 40A (Tc) | 15V, 18V | 54mOhm @ 16A, 18V | 4.2V @ 5mA | 56 nC @ 18 V | +22V, -10V | 1329 pF @ 800 V | - | 312W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | HiP247™ |
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STW65N023M9-4N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP., STMicroelectronics |
59 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 95A (Tc) | 10V | 23mOhm @ 48A, 10V | 4.2V @ 250µA | 230 nC @ 10 V | ±30V | 8844 pF @ 400 V | - | 463W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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SCT025H120G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics |
85 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SCT018H65G3AGH2PAK-7 STMicroelectronics |
100 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 55A (Tc) | 15V, 18V | 27mOhm @ 30A, 18V | 4.2V @ 5mA | 79.4 nC @ 18 V | +22V, -10V | 2124 pF @ 400 V | - | 385W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | H2PAK-7 |
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