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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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STFW20N65M5MOSFET N-CH 650V 18A ISOWATT STMicroelectronics |
3,660 | - |
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Tabla de datos |
MDmesh™ M5 | TO-3P-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 18A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 250µA | 36 nC @ 10 V | ±25V | 1434 pF @ 100 V | - | 48W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
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STP140N4F6MOSFET N-CHANNEL 40V 80A TO220 STMicroelectronics |
2,943 | - |
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Tabla de datos |
STripFET™ F6 | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | - | - | - | ±20V | - | - | 168W (Tc) | - | - | - | Through Hole | TO-220 |
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STP410N4F7AGMOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220 STMicroelectronics |
4,735 | - |
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- |
STripFET™ F7 | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 180A (Tc) | 4.5V, 10V | - | - | - | - | - | - | 365W (Tc) | - | - | - | Through Hole | TO-220 |
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STFU9N65M2MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP STMicroelectronics |
2,068 | - |
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Tabla de datos |
MDmesh™ M2 | TO-220-3 Full Pack | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 5A (Tc) | 10V | 900mOhm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 10 nC @ 10 V | ±25V | 315 pF @ 100 V | - | 20W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
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STP80N70F4MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB STMicroelectronics |
3,523 | - |
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Tabla de datos |
DeepGATE™, STripFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 68 V | 85A (Tc) | 10V | 9.8mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 5600 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
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STFU25N60M2-EPMOSFET N-CH 600V 18A TO220FP STMicroelectronics |
4,991 | - |
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Tabla de datos |
MDmesh™ M2 | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 18A (Tc) | 10V | 188mOhm @ 9A, 10V | 4.75V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±25V | 1090 pF @ 100 V | - | 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
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SCTWA35N65G2VAGSICFET N-CH 650V 45A TO247 STMicroelectronics |
2,685 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 45A (Tc) | 18V, 20V | 72mOhm @ 20A, 20V | 3.2V @ 1mA | 73 nC @ 20 V | +20V, -5V | 1370 pF @ 400 V | - | 208W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 Long Leads |
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STP48N30M8MOSFET N-CH 300V TO220 STMicroelectronics |
4,598 | - |
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- |
- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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STD18N65M2-EPMOSFET N-CH 650V 11A DPAK STMicroelectronics |
2,818 | - |
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- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11A (Tc) | 10V | 375mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 14.4 nC @ 10 V | ±25V | 700 pF @ 100 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
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STP318N4F6MOSFET N-CH 40V 160A TO220 STMicroelectronics |
4,575 | - |
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Tabla de datos |
STripFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 160A (Tc) | 10V | 2.2mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 13800000 pF @ 25 V | - | 341W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
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