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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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STE139N65M5MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP STMicroelectronics |
2,011 | - |
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MDmesh™ | ISOTOP | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 130A (Tc) | 10V | 17mOhm @ 65A, 10V | 5V @ 250µA | 363 nC @ 10 V | ±25V | 15600 pF @ 100 V | - | 672W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP |
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SCTH50N120-7SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7 STMicroelectronics |
2,262 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 65A | 20V | 69mOhm @ 40A, 20V | 5.1V @ 1mA | 122 nC @ 20 V | +22V, -10V | 1900 pF @ 400 V | - | 270W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | H2PAK-7 |
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SCT30N120HSICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2 STMicroelectronics |
3,521 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 40A (Tc) | 20V | 100mOhm @ 20A, 20V | 3.5V @ 1mA | 105 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1700 pF @ 400 V | - | 270W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | - | - | Surface Mount | H2PAK-2 |
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STE110NS20FDMOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP STMicroelectronics |
3,718 | - |
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Tabla de datos |
MESH OVERLAY™ | ISOTOP | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 110A (Tc) | 10V | 24mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 504 nC @ 10 V | ±20V | 7900 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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STE250NS10MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP STMicroelectronics |
2,747 | - |
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Tabla de datos |
STripFET™ | ISOTOP | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 220A (Tc) | 10V | 5.5mOhm @ 125A, 10V | 4V @ 250µA | 900 nC @ 10 V | ±20V | 31000 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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SCT015W120G3-4AGTO247-4 STMicroelectronics |
3,605 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 129A (Tc) | 15V, 18V | 17.5mOhm @ 60A, 18V | 4.2V @ 10mA | 167 nC @ 18 V | +22V, -10V | 3512 pF @ 800 V | - | 673W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-4 |
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STE140NF20DMOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP STMicroelectronics |
3,600 | - |
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Tabla de datos |
STripFET™ II | ISOTOP | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 140A (Tc) | 10V | 12mOhm @ 70A, 10V | 4V @ 250µA | 338 nC @ 10 V | ±20V | 11100 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP |
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STE70NM50MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP STMicroelectronics |
4,957 | - |
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Tabla de datos |
MDmesh™ | ISOTOP | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 70A (Tc) | 10V | 50mOhm @ 30A, 10V | 5V @ 250µA | 266 nC @ 10 V | ±30V | 7500 pF @ 25 V | - | 600W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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STE26NA90MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP STMicroelectronics |
3,406 | - |
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Tabla de datos |
- | ISOTOP | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 26A (Tc) | 10V | 300mOhm @ 13A, 10V | 3.75V @ 1mA | 660 nC @ 10 V | ±30V | 1770 pF @ 25 V | - | 450W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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STE180NE10MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP STMicroelectronics |
2,075 | - |
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Tabla de datos |
STripFET™ | ISOTOP | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 180A (Tc) | 10V | 6Ohm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 795 nC @ 10 V | ±20V | 21000 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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