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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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R5016FNXMOSFET N-CH 500V 16A TO220FM Rohm Semiconductor |
2 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 16A (Tc) | 10V | 325mOhm @ 8A, 10V | 5V @ 1mA | 46 nC @ 10 V | ±30V | 1700 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
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SCT2160KECSICFET N-CH 1200V 22A TO247 Rohm Semiconductor |
2,414 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 22A (Tc) | 18V | 208mOhm @ 7A, 18V | 4V @ 2.5mA | 62 nC @ 18 V | +22V, -6V | 1200 pF @ 800 V | - | 165W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
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R6025JNZC8MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF Rohm Semiconductor |
13 | - |
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- |
- | TO-3P-3 Full Pack | Bag | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 25A (Tc) | 15V | 182mOhm @ 12.5A, 15V | 7V @ 4.5mA | 57 nC @ 15 V | ±30V | 1900 pF @ 100 V | - | 85W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
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R6046ANZC8MOSFET N-CH 600V 46A TO3PF Rohm Semiconductor |
4,663 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-3P-3 Full Pack | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 46A (Tc) | 10V | 81mOhm @ 23A, 10V | 4.5V @ 1mA | 150 nC @ 10 V | ±30V | 6000 pF @ 25 V | - | 130W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
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R6046FNZC8MOSFET N-CH 600V 46A TO3PF Rohm Semiconductor |
4,188 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-3P-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 46A (Tc) | 10V | 93mOhm @ 23A, 10V | 5V @ 1mA | 150 nC @ 10 V | ±30V | 6100 pF @ 25 V | - | 130W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
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SCT4013DTWSIC FET TOP SIDE COOLING Rohm Semiconductor |
4,612 | - |
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- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SCT2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO247 Rohm Semiconductor |
3,986 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 40A (Tc) | 18V | 117mOhm @ 10A, 18V | 4V @ 4.4mA | 106 nC @ 18 V | +22V, -6V | 2080 pF @ 800 V | - | 262W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
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BSM600C12P3G201SICFET N-CH 1200V 600A MODULE Rohm Semiconductor |
2,901 | - |
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Tabla de datos |
- | Module | Tray | Not For New Designs | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 600A (Tc) | - | - | 5.6V @ 182mA | - | +22V, -4V | 28000 pF @ 10 V | - | 2460W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | Module |
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RK7002AT116MOSFET N-CH 60V 300MA SST3 Rohm Semiconductor |
2,246 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 300mA (Ta) | 4V, 10V | 1Ohm @ 300mA, 10V | 2.5V @ 1mA | 6 nC @ 10 V | ±20V | 33 pF @ 10 V | - | 200mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SST3 |
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RSS125N03TBMOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP Rohm Semiconductor |
2,007 | - |
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Tabla de datos |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 12.5A (Ta) | 4V, 10V | 8.9mOhm @ 12.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 28 nC @ 5 V | 20V | 1670 pF @ 10 V | - | 2W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOP |
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