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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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FQD5P10TMMOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK onsemi |
695 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 3.6A (Tc) | 10V | 1.05Ohm @ 1.8A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 nC @ 10 V | ±30V | 250 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
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FDWS9408-F085MOSFET N-CH 40V 80A POWER56 onsemi |
4,734 | - |
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Tabla de datos |
- | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 80A (Tc) | 10V | 1.8mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 92 nC @ 10 V | ±20V | 5150 pF @ 20 V | - | 214W (Tj) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Power56 |
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2SK2617ALS-CB11NCH 15V DRIVE SERIES onsemi |
4,949 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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2SJ645-EP-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET onsemi |
19,000 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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STB75N06HDT4NFET D2PAK SPCL 60V TR onsemi |
16,595 | - |
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- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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2SK2011N-CHANNEL POWER MOSFET onsemi |
13,507 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NTMFS4965NFT1GMOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN onsemi |
10,500 | - |
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- |
- | 8-PowerTDFN, 5 Leads | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 17.5A (Ta), 65A (Tc) | - | 3.4mOhm @ 30A, 10V | 2.3V @ 1mA | 30.5 nC @ 10 V | - | 2100 pF @ 15 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
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FCPF165N65S3R0LMOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3 onsemi |
3,817 | - |
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Tabla de datos |
SuperFET® III | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 19A (Tc) | 10V | 165mOhm @ 9.5A, 10V | 4.5V @ 1.9mA | 35 nC @ 10 V | ±30V | 1415 pF @ 400 V | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
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BFL4036-1EMOSFET N-CH 500V 9.6A TO220F-3FS onsemi |
2,279 | - |
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- |
- | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 9.6A (Tc) | 10V | 520mOhm @ 7A, 10V | - | 38.4 nC @ 10 V | ±30V | 1000 pF @ 30 V | - | 2W (Ta), 37W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3FS |
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FDP8442-F085MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3 onsemi |
3,949 | - |
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Tabla de datos |
PowerTrench® | TO-220-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 23A (Ta), 80A (Tc) | 10V | 3.1mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 235 nC @ 10 V | ±20V | 12200 pF @ 25 V | - | 254W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220-3 |
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