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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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NDD03N60Z-1GMOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK onsemi |
4,405 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 2.6A (Tc) | 10V | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V | 4.5V @ 50µA | 12 nC @ 10 V | ±30V | 312 pF @ 25 V | - | 61W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
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NTLJS1102PTAGMOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN onsemi |
4,230 | - |
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Tabla de datos |
µCool™ | 6-WDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 8 V | 3.7A (Ta) | 1.2V, 4.5V | 36mOhm @ 6.2A, 4.5V | 720mV @ 250µA | 25 nC @ 4.5 V | ±6V | 1585 pF @ 4 V | - | 700mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-WDFN (2x2) |
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NTLJD3182FZTAGMOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN onsemi |
2,931 | - |
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Tabla de datos |
- | 6-WDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.2A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 100mOhm @ 2A, 4.5V | 1V @ 250µA | 7.8 nC @ 4.5 V | ±8V | 450 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 710mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-WDFN (2x2) |
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FDU6N25MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK onsemi |
2,967 | - |
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Tabla de datos |
UniFET™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 4.4A (Tc) | 10V | 1.1Ohm @ 2.2A, 10V | 5V @ 250µA | 6 nC @ 10 V | ±30V | 250 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
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NTHS4111PT1P-CHANNEL MOSFET onsemi |
24,600 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MGSF3442XT1SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET onsemi |
24,000 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MTD6N10E1NFET DPAK 100V 0.40R onsemi |
19,015 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MCH6336-TL-HMOSFET P-CH 12V 5A 6MCPH onsemi |
3,321 | - |
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Tabla de datos |
- | 6-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 5A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 43mOhm @ 3A, 4.5V | - | 6.9 nC @ 4.5 V | ±10V | 660 pF @ 6 V | - | 1.5W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-MCPH |
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CPH5811-TL-ENCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES onsemi |
18,000 | - |
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- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NTMSD2P102R2SGMOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC onsemi |
17,500 | - |
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- |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.3A (Ta) | - | 90mOhm @ 2.4A, 4.5V | - | 18 nC @ 4.5 V | - | 750 pF @ 16 V | Schottky Diode (Isolated) | - | - | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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