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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IRF3709PBFIRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW International Rectifier |
3,404 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 90A (Tc) | 4.5V, 10V | 9mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 41 nC @ 5 V | ±20V | 2672 pF @ 16 V | - | 3.1W (Ta), 120W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRFH7440TRPBFIRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO International Rectifier |
3,035 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET®, StrongIRFET™ | 8-PowerTDFN | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 85A (Tc) | 6V, 10V | 2.4mOhm @ 50A, 10V | 3.9V @ 100µA | 138 nC @ 10 V | ±20V | 4574 pF @ 25 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
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IRF6722MTRPBFMOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT International Rectifier |
2,469 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MP | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 13A (Ta), 56A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.7mOhm @ 13A, 10V | 2.4V @ 50µA | 17 nC @ 4.5 V | ±20V | 1300 pF @ 15 V | - | 2.3W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MP |
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AUIRF6218SAUIRF6218 - 20V-150V P-CHANNEL A International Rectifier |
3,950 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 27A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 16A, 10V | 5V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 2210 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
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