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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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BSP296NL6327HTSA1MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Infineon Technologies |
4,922 | - |
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OptiMOS™ | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 1.2A (Ta) | 4.5V, 10V | 600mOhm @ 1.2A, 10V | 1.8V @ 100µA | 6.7 nC @ 10 V | ±20V | 152.7 pF @ 25 V | - | 1.8W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-SOT223-4 |
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IPC50R045CPX1SA1MOSFET N-CH BARE DIE Infineon Technologies |
3,541 | - |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPC90R1K0C3X1SA1MOSFET N-CH BARE DIE Infineon Technologies |
3,154 | - |
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- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPC90R1K2C3X1SA1MOSFET N-CH BARE DIE Infineon Technologies |
3,147 | - |
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- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPC90R500C3X1SA1MOSFET N-CH BARE DIE Infineon Technologies |
4,272 | - |
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- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPC90R800C3X1SA1MOSFET N-CH BARE DIE Infineon Technologies |
3,920 | - |
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- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SISC097N24DX1SA1TRANSISTOR P-CH BARE DIE Infineon Technologies |
4,784 | - |
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- | - | Bulk | Discontinued at Digi-Key | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPC302N08N3X2SA1MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER Infineon Technologies |
4,156 | - |
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- | - | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPD65R1K5CEAUMA1MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3 Infineon Technologies |
4,432 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 5.2A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 1A, 10V | 3.5V @ 100µA | 10.5 nC @ 10 V | ±20V | 225 pF @ 100 V | - | 53W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
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IPN70R1K0CEATMA1MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223 Infineon Technologies |
4,688 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 7.4A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 1.5A, 10V | 3.5V @ 150µA | 14.9 nC @ 10 V | ±20V | 328 pF @ 100 V | - | 5W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223 |
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