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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IPI65R190CFDXKSA2MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3 Infineon Technologies |
2,055 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ CFD2 | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 17.5A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 7.3A, 10V | 4.5V @ 700µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 1850 pF @ 100 V | - | 151W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3 |
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IPP05CN10L GMOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Infineon Technologies |
3,038 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.1mOhm @ 100A, 10V | 2.4V @ 250µA | 163 nC @ 10 V | ±20V | 15600 pF @ 50 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
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IPB06P001LATMA1MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3 Infineon Technologies |
3,918 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 11mOhm @ 100A, 10V | 2V @ 5.55mA | 281 nC @ 10 V | ±20V | 8500 pF @ 30 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
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64-2042MOSFET N-CH 40V 75A TO262 Infineon Technologies |
2,597 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 75A (Tc) | 10V | 3.7mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 150 nC @ 10 V | ±20V | 4340 pF @ 25 V | - | 220W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
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IRFR1010ZMOSFET N-CH 55V 42A DPAK Infineon Technologies |
2,233 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 42A (Tc) | 10V | 7.5mOhm @ 42A, 10V | 4V @ 100µA | 95 nC @ 10 V | ±20V | 2840 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
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IRF1704MOSFET N-CH 40V 170A TO220AB Infineon Technologies |
4,375 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 170A (Tc) | 10V | 4mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 260 nC @ 10 V | ±20V | 6950 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRFS23N15DTRLPMOSFET N-CH 150V 23A D2PAK Infineon Technologies |
4,500 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 23A (Tc) | 10V | 90mOhm @ 14A, 10V | 5.5V @ 250µA | 56 nC @ 10 V | ±30V | 1200 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 136W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
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IRFH5302DTR2PBFMOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN Infineon Technologies |
3,011 | - |
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Tabla de datos |
- | 8-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 29A (Ta), 100A (Tc) | - | 2.5mOhm @ 50A, 10V | 2.35V @ 100µA | 55 nC @ 10 V | - | 3635 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | PQFN (5x6) Single Die |
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IRLH6224TR2PBFMOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM Infineon Technologies |
2,560 | - |
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Tabla de datos |
- | 8-PowerTDFN | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 28A (Ta), 105A (Tc) | - | 3mOhm @ 20A, 4.5V | 1.1V @ 50µA | 86 nC @ 10 V | - | 3710 pF @ 10 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
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IWM023N08NM5XUMA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
4,447 | - |
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* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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