Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tecnología | Configuración | Característica FET | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Potencia: máx. | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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19MT050XFMOSFET 4N-CH 500V 31A 16MTP Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
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![]() Tabla de datos |
HEXFET® | 16-MTP Module | Bulk | Obsolete | MOSFET (Metal Oxide) | 4 N-Channel (Full Bridge) | - | 500V | 31A | 220mOhm @ 19A, 10V | 6V @ 250µA | 160nC @ 10V | 7210pF @ 25V | 1140W | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | 16-MTP |