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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    ADP360120W3

    ADP360120W3

    MOSFET 6N-CH 1200V 379A ACEPACK

    STMicroelectronics

    6
    RFQ
    ADP360120W3

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel - 1200V (1.2kV) 379A (Tj) 3.45mOhm @ 360A, 18V 4.4V @ 40mA 944nC @ 18V 28070pF @ 800V 704W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
    SH63N65DM6AG

    SH63N65DM6AG

    MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK

    STMicroelectronics

    38
    RFQ
    SH63N65DM6AG

    Tabla de datos

    ECOPACK® 9-PowerSMD Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 650V 53A (Tc) 64mOhm @ 23A, 10V 4.75V @ 250µA 80nC @ 10V 3344pF @ 100V 424W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 9-ACEPACK SMIT
    ADP46075W3

    ADP46075W3

    MOSFET 6N-CH 750V 485A ACEPACK

    STMicroelectronics

    5
    RFQ
    ADP46075W3

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel - 750V 485A (Tj) 2.05mOhm @ 460A, 18V 4.4V @ 40mA 984nC @ 18V 27050pF @ 400V 704W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
    ADP280120W3

    ADP280120W3

    MOSFET 6N-CH 1200V 275A ACEPACK

    STMicroelectronics

    5
    RFQ
    ADP280120W3

    Tabla de datos

    ECOPACK® Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 275A (Tj) 5.05mOhm @ 280A, 18V 4.4V @ 30mA 629nC @ 18V 18710pF @ 800V 549W -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
    ADP480120W3

    ADP480120W3

    MOSFET 6N-CH 1200V 488A ACEPACK

    STMicroelectronics

    6
    RFQ
    ADP480120W3

    Tabla de datos

    ECOPACK® Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 488A (Tj) 2.6mOhm @ 480A, 18V 4.4V @ 50mA 1258nC @ 18V 37420pF @ 800V 869W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
    ADP480120W3-L

    ADP480120W3-L

    MOSFET 6N-CH 1200V 488A ACEPACK

    STMicroelectronics

    5
    RFQ
    ADP480120W3-L

    Tabla de datos

    ECOPACK® Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (Phase Leg) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 488A (Tj) 2.6mOhm @ 480A, 18V 4.4V @ 50mA 1258nC @ 18V 37420pF @ 800V 869W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
    M1F45M12W2-1LA

    M1F45M12W2-1LA

    MOSFET 4N-CH 1200V ACEPACK DMT

    STMicroelectronics

    3,659
    RFQ
    M1F45M12W2-1LA

    Tabla de datos

    ECOPACK® 32-PowerDIP Module (1.264", 32.10mm) Tube Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel - 1200V (1.2kV) 30A (Tc) 64mOhm @ 20A, 18V 5V @ 1mA 100nC @ 18V 2086pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ACEPACK DMT-32
    STS1DNC45

    STS1DNC45

    MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC

    STMicroelectronics

    3,523
    RFQ
    STS1DNC45

    Tabla de datos

    SuperMESH™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 450V 400mA 4.5Ohm @ 500mA, 10V 3.7V @ 250µA 10nC @ 10V 160pF @ 25V 1.6W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    M1P45M12W2-1LA

    M1P45M12W2-1LA

    MOSFET 6N-CH 1200V ACEPACK DMT

    STMicroelectronics

    2,318
    RFQ
    M1P45M12W2-1LA

    Tabla de datos

    ECOPACK® 32-PowerDIP Module (1.264", 32.10mm) Tube Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (Phase Leg) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 30A (Tc) 60.5mOhm @ 20A, 18V 5V @ 1mA 100nC @ 18V 2086pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ACEPACK DMT-32
    M1F80M12W2-1LA

    M1F80M12W2-1LA

    AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DMT-32

    STMicroelectronics

    2,640
    RFQ
    M1F80M12W2-1LA

    Tabla de datos

    * - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - -
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