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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FDMD8580

    FDMD8580

    MOSFET 2N-CH 80V 16A POWER56

    onsemi

    0
    RFQ
    FDMD8580

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 80V 16A (Ta), 82A (Tc) 4.6mOhm @ 16A, 10V 4.5V @ 250µA 80nC @ 10V 5875pF @ 40V 2.3W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
    ECH8601M-P-TL-H

    ECH8601M-P-TL-H

    MOSFET 2N-CH ECH8

    onsemi

    0
    RFQ

    -

    - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
    EFC2J017NUZTDG

    EFC2J017NUZTDG

    MOSFET 2N-CH 6WLCSP

    onsemi

    0
    RFQ

    -

    - 6-XFBGA, WLCSP Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive - - - 1.3V @ 1mA 95nC @ 4.5V - 2.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WLCSP (1.77x3.05)
    NTLUD4C26NTBG

    NTLUD4C26NTBG

    MOSFET 2N-CH 30V 9.1A 6UDFN

    onsemi

    0
    RFQ
    NTLUD4C26NTBG

    Tabla de datos

    µCool™ 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 9.1A (Ta) 21mOhm @ 6A, 10V 1.1V @ 250µA 9nC @ 4.5V 460pF @ 15V 2.63W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-UDFN (2x2)
    EFC6618R-A-TF

    EFC6618R-A-TF

    MOSFET 2N-CH EFCP

    onsemi

    0
    RFQ

    -

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FW217A-TL-2WX

    FW217A-TL-2WX

    MOSFET N-CH 35V 8SOIC

    onsemi

    0
    RFQ
    FW217A-TL-2WX

    Tabla de datos

    - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
    FW389-TL-2WX

    FW389-TL-2WX

    MOSFET N-CH 100V 8SOIC

    onsemi

    0
    RFQ
    FW389-TL-2WX

    Tabla de datos

    - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
    ECH8601M-TL-H-P

    ECH8601M-TL-H-P

    MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH

    onsemi

    0
    RFQ
    ECH8601M-TL-H-P

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive 24V 8A (Ta) 23mOhm @ 4A, 4.5V 1.3V @ 1mA 7.5nC @ 4.5V - - 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-ECH
    FDWS9420-F085

    FDWS9420-F085

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8PQFN

    onsemi

    0
    RFQ
    FDWS9420-F085

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 20A (Tc) 5.8mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 43nC @ 10V 2100pF @ 20V 75W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    FDMC8298

    FDMC8298

    MOSFET 2N-CH DIE

    onsemi

    0
    RFQ

    -

    - Die Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - Surface Mount Die
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