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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    NXV10V160ST1

    NXV10V160ST1

    MOSFET 6N-CH 100V APM21-CGA

    onsemi

    4,891
    RFQ
    NXV10V160ST1

    Tabla de datos

    - 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel - 100V - - 4.5V @ 250µA 101nC @ 10V 6970pF @ 50V - 175°C (TJ) - - Through Hole APM21-CGA
    NXV08H250DT1

    NXV08H250DT1

    MOSFET 4N-CH 80V APM17-MDC

    onsemi

    2,810
    RFQ
    NXV08H250DT1

    Tabla de datos

    - 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel - 80V - 1.039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V 4.6V @ 1mA 320nC @ 10V 24350pF @ 40V - 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole APM17-MDC
    NXV08H250DPT2

    NXV08H250DPT2

    MOSFET 4N-CH 80V APM17-MFA

    onsemi

    4,998
    RFQ
    NXV08H250DPT2

    Tabla de datos

    - 17-PowerDIP Module (2.020", 51.30mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel - 80V - 0.88mOhm @ 160A, 14V, 0.71mOhm @ 160A, 14V 4.6V @ 1mA 320nC @ 10V 24350pF @ 40V - -40°C ~ 125°C Automotive AEC-Q101 Through Hole APM17-MFA
    NXV08H300DT1

    NXV08H300DT1

    MOSFET 4N-CH 80V APM17-MDC

    onsemi

    3,655
    RFQ
    NXV08H300DT1

    Tabla de datos

    - 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel - 80V - 0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V 4.6V @ 1mA 502nC @ 12V 30150pF @ 40V - 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole APM17-MDC
    NXV08H400XT2

    NXV08H400XT2

    MOSFET 4N-CH 80V APM17-MDA

    onsemi

    3,886
    RFQ
    NXV08H400XT2

    Tabla de datos

    - 17-PowerDIP Module (1.778", 45.15mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel - 80V - 0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.710mOhm @ 160A, 12V 4.6V @ 1mA 502nC @ 12V 30150pF @ 40V - 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole APM17-MDA
    NXV08B800DT1

    NXV08B800DT1

    MOSFET 80V APM17-MDC

    onsemi

    4,815
    RFQ
    NXV08B800DT1

    Tabla de datos

    - 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) - - 80V - 0.46mOhm @ 160A, 12V 4.6V @ 1mA 502nC @ 12V 30150pF @ 40V - -40°C ~ 125°C (TA) Automotive AEC-Q101 Through Hole APM17-MDC
    NXV08H350XT1

    NXV08H350XT1

    MOSFET 80V APM17-MDC

    onsemi

    4,543
    RFQ
    NXV08H350XT1

    Tabla de datos

    - 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) - - 80V - 0.762mOhm @ 160A, 12V 4.6V @ 1mA 320nC @ 10V 24350pF @ 40V - -40°C ~ 125°C (TA) Automotive AEC-Q101 Through Hole APM17-MDC
    MMDF2P02HDR2

    MMDF2P02HDR2

    MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8SOIC

    onsemi

    2,232
    RFQ
    MMDF2P02HDR2

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.3A 160mOhm @ 2A, 10V 2V @ 250µA 20nC @ 10V 588pF @ 16V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    MMDF3N04HDR2

    MMDF3N04HDR2

    MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8SOIC

    onsemi

    3,218
    RFQ
    MMDF3N04HDR2

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 40V 3.4A 80mOhm @ 3.4A, 10V 3V @ 250µA 28nC @ 10V 900pF @ 32V 1.39W - - - Surface Mount 8-SOIC
    MMDF1N05ER2

    MMDF1N05ER2

    MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC

    onsemi

    4,396
    RFQ
    MMDF1N05ER2

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 50V 2A 300mOhm @ 1.5A, 10V 3V @ 250µA 12.5nC @ 10V 330pF @ 25V 2W - - - Surface Mount 8-SOIC
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