Sesión o Registro
    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    NDS9952A

    NDS9952A

    MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC

    onsemi

    3,207
    RFQ
    NDS9952A

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 3.7A, 2.9A 80mOhm @ 1A, 10V 2.8V @ 250µA 25nC @ 10V 320pF @ 10V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDS6900AS

    FDS6900AS

    MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

    onsemi

    2,122
    RFQ
    FDS6900AS

    Tabla de datos

    PowerTrench®, SyncFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6.9A, 8.2A 27mOhm @ 6.9A, 10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V 600pF @ 15V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDMS3660S-F121

    FDMS3660S-F121

    MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56

    onsemi

    3,757
    RFQ
    FDMS3660S-F121

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 30V 13A, 30A 8mOhm @ 13A, 10V 2.7V @ 250µA 29nC @ 10V 1765pF @ 15V 1W - - - Surface Mount Power56
    NVMFD5877NLWFT1G

    NVMFD5877NLWFT1G

    MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN

    onsemi

    2,127
    RFQ
    NVMFD5877NLWFT1G

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 6A 39mOhm @ 7.5A, 10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V 540pF @ 25V 3.2W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    NTMFD4902NFT1G

    NTMFD4902NFT1G

    MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN

    onsemi

    3,899
    RFQ
    NTMFD4902NFT1G

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual), Schottky Logic Level Gate 30V 10.3A, 13.3A 6.5mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 9.7nC @ 4.5V 1150pF @ 15V 1.1W, 1.16W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
    FDS6990A

    FDS6990A

    MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

    onsemi

    4,149
    RFQ
    FDS6990A

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 7.5A 18mOhm @ 7.5A, 10V 3V @ 250µA 17nC @ 5V 1235pF @ 15V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDD8424H-F085A

    FDD8424H-F085A

    MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252

    onsemi

    4,658
    RFQ
    FDD8424H-F085A

    Tabla de datos

    PowerTrench® TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 40V 9A, 6.5A 24mOhm @ 9A, 10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V 1000pF @ 20V 1.3W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    FDS8962C

    FDS8962C

    MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

    onsemi

    2,610
    RFQ
    FDS8962C

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 7A, 5A 30mOhm @ 7A, 10V 3V @ 250µA 26nC @ 10V 575pF @ 15V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDS8928A

    FDS8928A

    MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A 8SOIC

    onsemi

    3,579
    RFQ
    FDS8928A

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V, 20V 5.5A, 4A 30mOhm @ 5.5A, 4.5V 1V @ 250µA 28nC @ 4.5V 900pF @ 10V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDW2520C

    FDW2520C

    MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP

    onsemi

    2,841
    RFQ
    FDW2520C

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 6A, 4.4A 18mOhm @ 6A, 4.5V 1.5V @ 250µA 20nC @ 4.5V 1325pF @ 10V 600mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    Total 962 Record«Prev1... 6566676869707172...97Next»
    Correo electrónico
    Lo que contiene
    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Casa

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Productos

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Teléfono

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Usuarios