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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    NVMFD5C462NLWFT1G

    NVMFD5C462NLWFT1G

    MOSFET 2N-CH 40V 18A 8DFN

    onsemi

    1,080
    RFQ
    NVMFD5C462NLWFT1G

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 18A (Ta), 84A (Tc) 4.7mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 40µA 11nC @ 4.5V 1300pF @ 25V 3W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    NVMJD2D7N04CLTWG

    NVMJD2D7N04CLTWG

    MOSFET N-CH 40V LFPAK56

    onsemi

    3,000
    RFQ
    NVMJD2D7N04CLTWG

    Tabla de datos

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDPC8012S

    FDPC8012S

    MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33

    onsemi

    3,000
    RFQ
    FDPC8012S

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 25V 13A, 26A 7mOhm @ 12A, 4.5V 2.2V @ 250µA 8nC @ 4.5V 1075pF @ 13V 800mW, 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Powerclip-33
    NVMFD5C446NT1G

    NVMFD5C446NT1G

    MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN

    onsemi

    1,450
    RFQ
    NVMFD5C446NT1G

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 24A (Ta), 127A (Tc) 2.9mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 250µA 38nC @ 10V 2450pF @ 25V 3.2W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    NVMFD5C650NLT1G

    NVMFD5C650NLT1G

    MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN

    onsemi

    1,432
    RFQ
    NVMFD5C650NLT1G

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 4.2mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 98µA 16nC @ 4.5V 2546pF @ 25V 3.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    NXH040P120MNF1PTG

    NXH040P120MNF1PTG

    MOSFET 2N-CH 1200V 30A

    onsemi

    28
    RFQ
    NXH040P120MNF1PTG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 30A (Tc) 56mOhm @ 25A, 20V 4.3V @ 10mA 122.1nC @ 20V 1505pF @ 800V 74W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH040F120MNF1PTG

    NXH040F120MNF1PTG

    MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM

    onsemi

    28
    RFQ
    NXH040F120MNF1PTG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel - 1200V (1.2kV) 30A (Tc) 56mOhm @ 25A, 20V 4.3V @ 10mA 122.1nC @ 20V 1505pF @ 800V 74W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 22-PIM (33.8x42.5)
    NXH020P120MNF1PTG

    NXH020P120MNF1PTG

    MOSFET 2N-CH 1200V 51A

    onsemi

    28
    RFQ
    NXH020P120MNF1PTG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 51A (Tc) 30mOhm @ 50A, 20V 4.3V @ 20mA 213.5nC @ 20V 2420pF @ 800V 119W (Tj) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH010P90MNF1PTG

    NXH010P90MNF1PTG

    MOSFET 2N-CH 900V 154A

    onsemi

    28
    RFQ
    NXH010P90MNF1PTG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 900V 154A (Tc) 14mOhm @ 100A, 15V 4.3V @ 40mA 546.4nC @ 15V 7007pF @ 450V 328W (Tj) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH020F120MNF1PTG

    NXH020F120MNF1PTG

    MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM

    onsemi

    28
    RFQ
    NXH020F120MNF1PTG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1200V (1.2kV) 51A (Tc) 30mOhm @ 50A, 20V 4.3V @ 20mA 213.5nC @ 20V 2420pF @ 800V 119W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 22-PIM (33.8x42.5)
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