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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    NTLJD3115PT1G

    NTLJD3115PT1G

    MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN

    onsemi

    10,392
    RFQ
    NTLJD3115PT1G

    Tabla de datos

    - 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.3A 100mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 6.2nC @ 4.5V 531pF @ 10V 710mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
    ECH8660-TL-H

    ECH8660-TL-H

    MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH

    onsemi

    1,004
    RFQ
    ECH8660-TL-H

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 4.5A 59mOhm @ 2A, 10V - 4.4nC @ 10V 240pF @ 10V 1.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-ECH
    EFC2K102ANUZTDG

    EFC2K102ANUZTDG

    MOSFET 2N-CH 12V 33A 10WLCSP

    onsemi

    14,578
    RFQ
    EFC2K102ANUZTDG

    Tabla de datos

    - 10-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 12V 33A (Ta) 2.75mOhm @ 5A, 4.5V 1.3V @ 1mA 42nC @ 3.8V - 3.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 10-WLCSP (2.98x1.49)
    FDC6318P

    FDC6318P

    MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6

    onsemi

    12,042
    RFQ
    FDC6318P

    Tabla de datos

    PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 2.5A 90mOhm @ 2.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 8nC @ 4.5V 455pF @ 6V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    FDMA1029PZ

    FDMA1029PZ

    MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN

    onsemi

    8,048
    RFQ
    FDMA1029PZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.1A 95mOhm @ 3.1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 10nC @ 4.5V 540pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
    FDMC7200S

    FDMC7200S

    MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33

    onsemi

    1,317
    RFQ
    FDMC7200S

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 7A, 13A 22mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V 660pF @ 15V 700mW, 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-Power33 (3x3)
    FDMC007N30D

    FDMC007N30D

    MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33

    onsemi

    5,283
    RFQ
    FDMC007N30D

    Tabla de datos

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 46A 11.6mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 34nC @ 10V 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V 1.9W, 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-Power33 (3x3)
    FDS9933A

    FDS9933A

    MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC

    onsemi

    6,255
    RFQ
    FDS9933A

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.8A 75mOhm @ 3.8A, 4.5V 1.5V @ 250µA 10nC @ 4.5V 600pF @ 10V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDMS7608S

    FDMS7608S

    MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56

    onsemi

    5,301
    RFQ
    FDMS7608S

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 12A, 15A 10mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 24nC @ 10V 1510pF @ 15V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
    NTMFD5C674NLT1G

    NTMFD5C674NLT1G

    MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN

    onsemi

    865
    RFQ
    NTMFD5C674NLT1G

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 11A (Ta), 42A (Tc) 14.4mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 25µA 10nC @ 10V 640pF @ 25V 3W (Ta), 37W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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