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    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    AO4613

    AO4613

    MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    2,912
    RFQ
    AO4613

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V - 24mOhm @ 7.2A, 10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V 630pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AON3816

    AON3816

    MOSFET 2N-CH 20V 8DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    2,915
    RFQ
    AON3816

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate 20V - 22mOhm @ 4A, 4.5V 1.1V @ 250µA 13nC @ 4.5V 1100pF @ 10V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (3x3)
    AON5802A

    AON5802A

    MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    4,300
    RFQ
    AON5802A

    Tabla de datos

    - 6-WFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate 30V 7.2A 20mOhm @ 7.2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 10.7nC @ 4.5V 1115pF @ 15V 1.7W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
    AOP609

    AOP609

    MOSFET N/P-CH 60V 8PDIP

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    4,958
    RFQ
    AOP609

    Tabla de datos

    - 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 60V - 60mOhm @ 4.7A, 10V 3V @ 250µA 7nC @ 10V 570pF @ 30V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    AOP607

    AOP607

    MOSFET N/P-CH 60V 8PDIP

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    3,210
    RFQ
    AOP607

    Tabla de datos

    - 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 60V - 56mOhm @ 4.7A, 10V 3V @ 250µA 10.5nC @ 10V 540pF @ 30V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    AON5816

    AON5816

    MOSFET 2N-CH 20V 12A 6DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    3,202
    RFQ
    AON5816

    Tabla de datos

    - 6-WFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain - 20V 12A (Ta) 6.5mOhm @ 12A, 4.5V 1.3V @ 250µA 35nC @ 4.5V 2170pF @ 10V 1.7W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
    AON3814

    AON3814

    MOSFET 2N-CH 20V 8DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    4,379
    RFQ
    AON3814

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate 20V - 17mOhm @ 6A, 4.5V 1.1V @ 250µA 13nC @ 4.5V 1100pF @ 10V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (3x3)
    AOP610

    AOP610

    MOSFET N/P-CH 30V 8PDIP

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    2,366
    RFQ
    AOP610

    Tabla de datos

    - 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V - 24mOhm @ 7.7A, 10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V 630pF @ 15V 2.3W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    AOC3868

    AOC3868

    MOSFET 2N-CH 6DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    3,478
    RFQ
    AOC3868

    Tabla de datos

    - 6-XDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain - - - - 1.1V @ 250µA 50nC @ 4.5V - 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (2.7x1.8)
    AOP605

    AOP605

    MOSFET N/P-CH 30V 8PDIP

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    3,486
    RFQ
    AOP605

    Tabla de datos

    - 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V - 28mOhm @ 7.5A, 10V 3V @ 250µA 16.6nC @ 4.5V 820pF @ 15V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
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