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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    AUIRF9952QTR

    AUIRF9952QTR

    MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

    International Rectifier

    24,000
    RFQ
    AUIRF9952QTR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 3.5A, 2.3A 100mOhm @ 2.2A, 10V 3V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF6802SDTRPBF

    IRF6802SDTRPBF

    MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFET

    International Rectifier

    5,145
    RFQ
    IRF6802SDTRPBF

    Tabla de datos

    DirectFET™ DirectFET™ Isometric SA Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 25V 16A (Ta), 57A (Tc) 4.2mOhm @ 16A, 10V 2.1V @ 35µA 13nC @ 4.5V 1350pF @ 13V 1.7W (Ta), 21W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric SA
    IRFH4257DTRPBF

    IRFH4257DTRPBF

    MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN

    International Rectifier

    1,834
    RFQ
    IRFH4257DTRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-PowerVDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 25V 25A 3.4mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 35µA 15nC @ 4.5V 1321pF @ 13V 25W, 28W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Dual PQFN (5x4)
    IRF9395MTRPBF

    IRF9395MTRPBF

    MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET

    International Rectifier

    141,429
    RFQ
    IRF9395MTRPBF

    Tabla de datos

    DirectFET™ DirectFET™ Isometric MC Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 30V 14A (Ta), 75A (Tc) 7mOhm @ 14A, 10V 2.4V @ 50µA 64nC @ 4.5V 3241pF @ 15V 2.1W (Ta), 57W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric MC
    IRFHE4250DTRPBF

    IRFHE4250DTRPBF

    MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN

    International Rectifier

    9,000
    RFQ
    IRFHE4250DTRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 32-PowerVFQFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 25V 86A (Tc), 303A (Tc) 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 32-PQFN (6x6)
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