制造商 | Serie | Embalaje | Estado del producto | Tipo de núcleo | Proveedor Dispositivo Paquete | Material | Diámetro | Factor de inductancia (Al) | Tolerancia | Brecha | Permeabilidad efectiva (µe) | Permeabilidad inicial (µi) | Factor de núcleo (ΣI/A) mm⁻¹ | Longitud efectiva (le) mm | Área efectiva (Ae) mm² | Sección transversal mínima del núcleo (Amin) mm² | Volumen magnético efectivo (Ve) mm³ | Acabado | Altura | Longitud | Ancho |
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Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Embalaje | Estado del producto | Tipo de núcleo | Proveedor Dispositivo Paquete | Material | Diámetro | Factor de inductancia (Al) | Tolerancia | Brecha | Permeabilidad efectiva (µe) | Permeabilidad inicial (µi) | Factor de núcleo (ΣI/A) mm⁻¹ | Longitud efectiva (le) mm | Área efectiva (Ae) mm² | Sección transversal mínima del núcleo (Amin) mm² | Volumen magnético efectivo (Ve) mm³ | Acabado | Altura | Longitud | Ancho |
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AB2.8X4.5DYFERRITE CORE ROD Toshiba Semiconductor and Storage |
2,824 | - |
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AB | Bag | Active | Rod | - | - | 0.157" (4.00mm) | - | - | Ungapped | - | - | - | - | - | - | - | Coated | 0.224" (5.70mm) | - | - |
![]() |
AB3X2X3DYFERRITE CORE ROD Toshiba Semiconductor and Storage |
8,147 | - |
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- |
AB | Bag | Active | Rod | - | - | 0.157" (4.00mm) | - | - | Ungapped | - | - | - | - | - | - | - | Coated | 0.165" (4.20mm) | - | - |